Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS89161, 100 В, 2,7 А, SO8 (набор 20 шт.)
1 930 ₴
- В наличии
- Код: TM073699
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS89161, 100 В, 2,7 А, SO8 (набор 20 шт.)В наличии
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS89161 — это двойной полевой транзистор с индуцированным каналом в корпусе SO8. Комплект состоит из 20 штук, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).
- Двойной N-MOSFET транзистор
- Напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 2,7 А
- Рассеиваемая мощность: 31 Вт
- Корпус SO8, монтаж SMD
- Комплект: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 100 В и ток стока 2,7 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 31 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 176 мОм.
Технология и монтаж
Изделие изготовлено по технологии PowerTrench®. Корпус SO8 и тип монтажа SMD. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а заряд затвора составляет 4,1 нКл. Транзистор является униполярным.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 31 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 176 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 1 930 ₴