
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS89141, 100V, 3.5A, SO8 (набор 10 шт.)
1 980 ₴
- В наличии
- Код: TM073698
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS89141 — это двойной полевой транзистор с каналом типа N, предназначенный для коммутационных задач в электронных схемах. Модель выполнена в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD) и реализует технологию PowerTrench®. В комплекте поставляется 10 единиц.
- Двойной N-MOSFET транзистор
- Напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 3,5 А
- Рассеиваемая мощность: 31 Вт
- Корпус SO8 для SMD монтажа
- Комплект: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 100 В и максимальный ток стока 3,5 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,107 Ом, что минимизирует потери энергии при работе. Максимальная рассеиваемая мощность равна 31 Вт, а заряд затвора — 7,1 нКл.
Тип транзистора и комплектация
Это двойной N-MOSFET с каналом типа N (обогащаемый), что позволяет управлять двумя нагрузками одним компонентом. В комплекте поставляется 10 транзисторов, что удобно для серийного производства или ремонта. Монтаж выполняется методом SMD (поверхностный монтаж).
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 31 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 107 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | PowerTrench® |
- Цена: 1 980 ₴
