Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS8880, 30V, 11.6A, SO8 (набор 30 шт.)
2 030 ₴
- В наличии
- Код: TM073697
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS8880, 30V, 11.6A, SO8 (набор 30 шт.)В наличии
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS8880 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Товар поставляется комплектом из 30 единиц в корпусе SO8 для монтажа на поверхность (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 11,6 А
- Рассеиваемая мощность: 2,5 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Комплектация: 30 шт.
Электрические параметры и корпус
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 11,6 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 16,3 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 2,5 Вт, а заряд затвора — 30 нКл.
Компонент выполнен в стандартном корпусе SO8. Технология PowerTrench® и тип монтажа SMD. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 11.6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 16.3 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 030 ₴