Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS6898A, 20 В, 9,4 А, SO8 (набор 20 шт.)
2 000 ₴
- В наличии
- Код: TM073696
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS6898A, 20 В, 9,4 А, SO8 (набор 20 шт.)В наличии
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS6898A — это двойной полевой транзистор в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 20 штук.
- Тип: двойной N-MOSFET (N-MOSFET x2)
- Напряжение сток-исток: 20 В
- Ток стока: 9,4 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 21 мОм
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 20 В и выдерживает ток стока 9,4 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 21 мОм. Общая рассеиваемая мощность равна 2 Вт.
Технология и монтаж
Изделие изготовлено по технологии PowerTrench®. Корпус SO8 предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
В наборе поставляется 20 транзисторов ONSEMI FDS6898A. Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±12 В. Заряд затвора равен 23 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 9.4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 21 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 000 ₴