Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS6690A, 30 В, 11 А, SO8 (набор 20 шт.)
2 140 ₴
- В наличии
- Код: TM073695
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS6690A, 30 В, 11 А, SO8 (набор 20 шт.)В наличии
2 140 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS6690A — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 20 штук.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 11 А
- Рассеиваемая мощность: 2,5 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Технология: PowerTrench®
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 11 А. Рассеиваемая мощность составляет 2,5 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 22 мОм.
Технология и монтаж
Прибор изготовлен по технологии PowerTrench®. Корпус SO8 и тип монтажа SMD. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 16 нКл. Канал транзистора — обогащенный.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 11 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 22 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 140 ₴