Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS6680A, 30 В, 12,5 А, SO8 (набор 20 шт.)
1 920 ₴
- В наличии
- Код: TM073694
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS6680A, 30 В, 12,5 А, SO8 (набор 20 шт.)В наличии
1 920 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS6680A — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 20 штук.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 12,5 А
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Сопротивление в открытом состоянии: 15 мОм
- Комплектация: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 12,5 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 15 мОм. Рассеиваемая мощность ограничена 2,5 Вт, а заряд затвора — 23 нКл.
Технология и монтаж
Прибор изготовлен по технологии PowerTrench®. Корпус SO8 и тип монтажа SMD. Полярность транзистора — униполярная, канал обогащения. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 12.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 15 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 1 920 ₴