Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS6375, 20 шт., SO8, -20В, -8А
2 240 ₴
- В наличии
- Код: TM073693
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS6375, 20 шт., SO8, -20В, -8АВ наличии
2 240 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 20 транзисторов P-MOSFET от производителя ONSEMI, модель FDS6375. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SO8. Максимальное напряжение между истоком и стоком составляет -20 В, а максимальный ток стока — -8 А.
- Тип: P-MOSFET, униполярный, индуцированный канал
- Максимальное напряжение сток-исток: -20 В
- Максимальный ток стока: -8 А
- Рассеиваемая мощность: 2,5 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 39 мОм
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 20 шт.
Технические характеристики
Транзистор является униполярным полевым транзистором с P-каналом и индуцированным каналом. Максимальное напряжение между истоком и стоком составляет -20 В, а максимальный ток стока — -8 А. Рассеиваемая мощность равна 2,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) — 39 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SO8 с монтажом SMD. Транзистор изготовлен по технологии PowerTrench®.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 39 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 240 ₴