Транзистор ONSEMI FDS4935BZ, P-MOSFET x2, SO8, комплект 20 шт.

Комплект из 20 транзисторов ONSEMI FDS4935BZ в корпусе SO8. Это двойные P-канальные MOSFET-транзисторы с сопротивлением открытого канала 35 мОм, предназначенные для поверхностного монтажа (SMD).

• Комплект из 20 транзисторов
• Корпус SO8 для SMD-монтажа
• Двойной P-канальный MOSFET
• Ток стока -6,9 А
• Напряжение сток-исток -30 В
• Сопротивление открытого канала 35 мОм
• Технология PowerTrench®

Двойной P-канальный MOSFET

Транзистор FDS4935BZ содержит два P-канальных MOSFET в одном корпусе SO8. Такая конфигурация позволяет экономить место на плате и упрощает трассировку при разработке схем с несколькими каналами управления.

Эффективное управление током

Максимальный ток стока составляет -6,9 А, а напряжение сток-исток — -30 В. Транзистор работает в режиме обогащения, что обеспечивает стабильное открытие канала при подаче управляющего сигнала.

Низкое сопротивление и тепловой режим

Сопротивление в состоянии проводности равно 35 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1,6 Вт, поэтому транзистор подходит для применений с умеренной нагрузкой.

Низкий заряд затвора и быстрое переключение

Компонент изготовлен по технологии PowerTrench®. Заряд затвора составляет 40 нКл, что обеспечивает быстрый отклик и сниженные потери при переключении. Максимальное напряжение затвор-исток — ±25 В.