Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS4935A, -30В, -7А, SO8 (набор 20 шт.)

3 290 ₴

  • В наличии
  • Код: TM035602
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS4935A, -30В, -7А, SO8 (набор 20 шт.)
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS4935A, -30В, -7А, SO8 (набор 20 шт.)В наличии
3 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

P-канальный полевой транзистор ONSEMI FDS4935A в корпусе SO8 для поверхностного монтажа. Устройство рассчитано на напряжение -30 В и ток -7 А, что делает его пригодным для коммутационных задач в электронных схемах. Комплект состоит из 20 штук.

  • Тип транзистора: P-MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток: -30 В
  • Ток стока: -7 А
  • Рассеиваемая мощность: 1,6 Вт
  • Корпус: SO8, монтаж SMD
  • Сопротивление в открытом состоянии: 35 мОм
  • Количество в наборе: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток -30 В и постоянный ток стока -7 А. Рассеиваемая мощность составляет 1,6 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 35 мОм, что обеспечивает эффективную работу при коммутации.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в стандартном корпусе SO8 с технологией монтажа SMD. Это позволяет использовать транзистор в устройствах с плотной компоновкой плат. Напряжение затвор-исток ограничено значением ±20 В.

Комплектация

В упаковке поставляется 20 транзисторов. Такое количество удобно для прототипирования или небольших серийных изделий.

Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Максимальная мощность рассеивания1.6 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)35 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте20 шт.
КорпусSO8
ТехнологияPowerTrench®
Информация для заказа
  • Цена: 3 290 ₴