Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS4685 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Товар поставляется набором из 20 единиц в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: P-MOSFET
- Мощность рассеивания: 2.5 Вт
- Корпус: SO8 (поверхностный монтаж)
- Технология: PowerTrench®
- Количество в наборе: 20 шт.
Тип и технология
В упаковке находится 20 транзисторов. Устройство изготовлено по технологии PowerTrench®. Корпус SO8 предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
Максимальная мощность рассеивания транзистора составляет 2.5 Вт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 42 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 1 860 ₴

