Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS3672, 100В, 4,8А, SO8 (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS3672 — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель рассчитана на напряжение 100 В и ток 4,8 А. Поставляется набором из 20 штук в корпусе SO8.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 4,8 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 43 мОм
• Корпус: SO8 для SMD монтажа
• Количество в наборе: 20 шт.

Электрические параметры и мощность

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 100 В. Максимальный ток стока составляет 4,8 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 43 мОм. Рассеиваемая мощность компонента составляет 2,5 Вт.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD). Напряжение затвор-исток составляет ±20 В.

Комплектация

Товар поставляется как набор из 20 транзисторов.