
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS3590, 80 В, 6,5 А, SO8 (набор 20 шт.)
3 000 ₴
- В наличии
- Код: TM018586
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS3590 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, используемый в электронных устройствах. Модель в корпусе SO8 имеет рабочее напряжение 80 В и ток стока 6,5 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 80 В
- Максимальный ток стока: 6,5 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 86 мОм
- Рассеиваемая мощность: 2,5 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Набор: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 80 В. Максимальный ток стока составляет 6,5 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 86 мОм.
Тепловые характеристики и монтаж
Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 2,5 Вт. Компонент выполнен в корпусе SO8 с технологией монтажа SMD. Допустимое напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Комплектация
Товар поставляется в виде набора из 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Тип | Корпус |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 86 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Информация для заказа
- Цена: 3 000 ₴
