Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS2734, 250 В, 3 А, SO8 (набор 10 шт.)
2 480 ₴
- В наличии
- Код: TM073689
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS2734 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе SO8 для монтажа на поверхность (SMD) и реализует технологию UltraFET®.
- Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
- Напряжение «сток-исток»: 250 В
- Ток стока: 3 А
- Рассеиваемая мощность: 2,5 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Набор: 10 шт.
Электрические параметры и мощность
Транзистор работает с напряжением «сток-исток» до 250 В и выдерживает постоянный ток стока 3 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 2,5 Вт, что определяет тепловой режим устройства под нагрузкой. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,225 Ом. Напряжение «затвор-исток» ограничено диапазоном ±20 В.
Корпус и монтаж
Компонент изготовлен в корпусе SO8, который является стандартом для поверхностного монтажа (SMD). Технология UltraFET® указана в характеристиках производителя ONSEMI.
Заряд и управление затвором
Заряд затвора составляет 45 нКл, что характеризует инерционность управления транзистором.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 250 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 225 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | UltraFET® |
- Цена: 2 480 ₴