Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS2582, 150 В, 2,6 А, SO8 (набор 20 шт.)
3 260 ₴
- В наличии
- Код: TM035600
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS2582, 150 В, 2,6 А, SO8 (набор 20 шт.)В наличии
3 260 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS2582 — это униполярный полевой транзистор с изолированным затвором в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 20 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 150 В
- Ток стока: 2,6 А
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Сопротивление в открытом состоянии: 146 мОм
- Комплектация: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 150 В и ток стока 2,6 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 146 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 2,5 Вт.
Технология и монтаж
Изделие изготовлено по технологии PowerTrench®. Корпус SO8 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В. Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode). Заряд затвора составляет 25 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 150 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 146 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 3 260 ₴