Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS2572, 150 В, 3,1 А, SO8 (набор 10 шт.)
2 090 ₴
- В наличии
- Код: TM035599
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS2572, 150 В, 3,1 А, SO8 (набор 10 шт.)В наличии
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS2572 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель выполнена в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD) и реализована по технологии UltraFET®.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 150 В
- Ток стока: 3,1 А
- Рассеиваемая мощность: 2,5 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Технология: UltraFET®
- Набор: 10 штук
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 150 В и ток стока 3,1 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 53 мОм. Общий заряд затвора равен 38 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Мощность и монтаж
Максимальная рассеиваемая мощность компонента составляет 2,5 Вт. Компонент имеет корпус SO8 и предназначен для SMD-монтажа. Технология UltraFET® определяет конструктивные особенности этого транзистора.
Комплектация
Товар поставляется набором из 10 штук.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 150 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3.1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 53 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | UltraFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 090 ₴