Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPC5030SG, 30 В, 56 А, PQFN8 (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPC5030SG — это двойной полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель выполнена в компактном корпусе PQFN8 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется набором из 20 штук.

• Тип: двойной N-MOSFET транзистор
• Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
• Ток стока: 56/84 А
• Корпус: PQFN8 для SMD монтажа
• Сопротивление в открытом состоянии: 5/2,4 мОм
• Количество в наборе: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 56 А (или 84 А в зависимости от условий). Сопротивление в открытом состоянии составляет 5/2,4 мОм. Рассеиваемая мощность равна 23/25 Вт, а заряд затвора — 17/39 нКл.

Корпус и монтаж

Компонент изготовлен в корпусе PQFN8, оптимизированном для технологии поверхностного монтажа (SMD). Такое исполнение позволяет размещать транзистор на печатных платах с высокой плотностью компонентов. Структура полупроводника является асимметричной, что влияет на распределение параметров между двумя каналами в одном корпусе.

Комплектация

Товар поставляется как набор из 20 транзисторов. Транзистор является униполярным, то есть работает только с одним типом носителей заряда. Напряжение затвор-исток составляет ±20/±12 В, что определяет допустимые режимы управления.