Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP61N20, 200V, 38.5A, TO220AB (набор 10 шт.)
2 290 ₴
- В наличии
- Код: TM073684
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP61N20, 200V, 38.5A, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
2 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP61N20 — это униполярный полевой транзистор с изолированным затвором в корпусе TO220AB. Комплект состоит из 10 штук, предназначенных для монтажа на плату (THT). Напряжение затвор-исток составляет ±30 В, а заряд затвора — 75 нКл. Символ производителя: FDP61N20.
- Напряжение сток-исток: 200 В
- Ток стока: 38,5 А
- Мощность рассеивания: 417 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 41 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток (Vds) 200 В и максимальный ток стока (Id) 38,5 А. Мощность рассеивания составляет 417 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 41 мОм.
Технология и монтаж
Компонент изготовлен по технологии UniFET™. Тип канала — обогащенный (enhancement mode). Монтаж осуществляется выводами в отверстия платы (THT), корпус TO220AB.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 417 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 38.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 41 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | UniFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 290 ₴