Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP18N50, 500 В, 10,8 А, TO220AB (набор 10 шт.)
2 280 ₴
- В наличии
- Код: TM073681
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP18N50, 500 В, 10,8 А, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
2 280 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов ONSEMI FDP18N50 типа N-MOSFET в корпусе TO220AB. Предназначены для монтажа на плату (THT) и работы с напряжением до 500 В и током до 10,8 А.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 500 В
- Ток стока: 10,8 А
- Рассеиваемая мощность: 235 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Количество в наборе: 10 шт.
Технические параметры
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между истоком и стоком составляет 500 В, а постоянный ток стока — 10,8 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 265 мОм.
Мощность и управление
Рассеиваемая мощность транзистора достигает 235 Вт. Напряжение управления затвором ограничено ±30 В, а заряд затвора составляет 60 нКл. Используется технология UniFET™.
Комплектация
В комплекте поставляется 10 транзисторов FDP18N50. Монтаж выполняется методом выведенных контактов (THT) в корпусе TO220AB.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 235 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 10.8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 265 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | UniFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 280 ₴