Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP047AN08A0, 75В, 80А, TO220-3 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP047AN08A0 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации в электронных схемах. Комплект состоит из 10 штук в корпусе TO220-3, что обеспечивает удобство для серийного монтажа и замены компонентов.

• Ток стока до 80 А для мощных силовых цепей
• Рассеиваемая мощность 310 Вт обеспечивает устойчивость к нагреву
• Максимальное напряжение сток-исток 75 В
• Корпус TO220-3 с монтажом THT для надежного крепления
• Комплект из 10 транзисторов для серийного производства

Высокая токовая нагрузка

Транзистор способен пропускать ток стока до 80 А, что позволяет использовать его в силовых цепях с высоким потреблением. Этот параметр позволяет использовать транзистор в силовых цепях.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 310 Вт. Это позволяет транзистору работать в условиях интенсивной нагрузки.

Удобный монтаж и корпус

Компонент выполнен в стандартном корпусе TO220-3 с технологией монтажа THT (сквозные отверстия). Такое решение обеспечивает стандартное крепление на печатные платы.

Стабильная работа при высоких напряжениях

Максимальное напряжение сток-исток составляет 75 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Эти параметры определяют рабочий диапазон транзистора. Тип канала — обогащенный (wzbogacany), что означает отсутствие тока стока при нулевом напряжении затвор-исток. Полярность транзистора — униполярная, что соответствует классической схеме управления N-MOSFET.