Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP038AN06A0, 60В, 80А, TO220-3 (набор 10 шт.)

3 520 ₴

  • В наличии
  • Код: TM018580
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP038AN06A0, 60В, 80А, TO220-3 (набор 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP038AN06A0, 60В, 80А, TO220-3 (набор 10 шт.)В наличии
3 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP038AN06A0 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации в электронных схемах. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе TO220-3, что обеспечивает удобство для массового монтажа и замены компонентов.

  • Набор из 10 транзисторов для удобного монтажа
  • Ток стока до 80 А для силовых цепей
  • Рассеиваемая мощность 310 Вт
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии 7,8 мОм
  • Корпус TO220-3 для монтажа на плату (THT)
  • Максимальное напряжение сток-исток 60 В

Мощность и ток

Транзистор рассчитан на максимальный ток стока 80 А и рассеиваемую мощность 310 Вт. Это позволяет использовать компонент в силовых цепях с высокими нагрузками, где требуется надежная коммутация больших токов без перегрева.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии равно 7,8 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы в открытом режиме.

Монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе TO220-3 с выводами для монтажа на плату (THT). Такой формат корпуса обеспечивает эффективный отвод тепла и механическую устойчивость при установке в устройствах с активным или пассивным охлаждением.

Транзистор ONSEMI FDP038AN06A0 подходит для радиолюбителей, инженеров и производителей электроники, которые нуждаются в надежных силовых ключах для промышленных или бытовых устройств.## Тип транзистора и канал
Компонент является N-MOSFET с каналом обогащения (wzbogacany). Такая структура обеспечивает эффективную работу в роли электронного ключа, где важна быстрая и надежная коммутация нагрузки.

Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Максимальная мощность рассеивания310 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток60 В
Максимально допустимый ток стока80 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)7.8 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте10 шт.
КорпусTO220-3
Информация для заказа
  • Цена: 3 520 ₴