Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP036N10A, 100В, 214А, TO220-3 — набор 5 шт.
2 570 ₴
- В наличии
- Код: TM018579
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP036N10A, 100В, 214А, TO220-3 — набор 5 шт.В наличии
2 570 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP036N10A — это униполярный компонент с каналом обогащения.
- Ток стока 214 А и импульсный ток 856 А
- Рассеиваемая мощность 333 Вт
- Низкое сопротивление в состоянии проводимости 3,6 мОм
- Корпус TO220-3 с монтажом THT
- Напряжение сток-исток 100 В
- Набор из 5 транзисторов
Высокая мощность и ток
Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 214 А и импульсный ток до 856 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 333 Вт.
Надежная изоляция и управление
Максимальное напряжение сток-исток равно 100 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Низкое сопротивление в состоянии проводимости 3,6 мОм.
Удобный монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе TO220-3 с технологией монтажа THT (через отверстия).
Комплектация
Товар поставляется набором из 5 штук,
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 333 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 214 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3.6 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 570 ₴