Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN5630, 60 В, 1,7 А, SuperSOT-3 (40 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN5630 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Пакет содержит 40 единиц в корпусе SuperSOT-3.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 1,7 А
• Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
• Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 40 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 60 В и выдерживает ток стока 1,7 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,18 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность ограничена 0,5 Вт.

Технология и монтаж

Компонент изготовлен по технологии PowerTrench®. Корпус SuperSOT-3 и тип монтажа SMD. Заряд затвора составляет 10 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В.

Комплектация

В набор поставляется 40 транзисторов FDN5630. Транзистор имеет логический уровень управления (logic level). Допустимое напряжение затвор-исток составляет ±20 В.