Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN537N, 30 В, 8 А, SOT23, комплект 30 шт.
2 370 ₴
- В наличии
- Код: TM073678
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN537N, 30 В, 8 А, SOT23, комплект 30 шт.В наличии
2 370 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 30 полевых транзисторов ONSEMI FDN537N типа N-MOSFET в корпусе SOT23. Предназначен для монтажа на поверхность платы (SMD) в электронных устройствах с нагрузкой до 8 А.
- Тип: N-MOSFET, канал обогащенный
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 8 А (постоянный), 25 А (импульсный)
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Сопротивление в открытом состоянии: 30 мОм
- Комплект: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток 30 В и постоянный ток стока 8 А. В импульсном режиме ток может достигать 25 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 30 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в компактном корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD).
Комплект поставки
В наборе поставляется 30 одинаковых транзисторов. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1,5 Вт, а заряд затвора — 8,4 нКл. Напряжение затвор-исток допускает значения ±20 В. Транзистор является униполярным с каналом обогащенного типа.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 30 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 2 370 ₴