Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN360P, SuperSOT-3, -30В, -2А (комплект 40 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN360P в корпусе SuperSOT-3 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 40 штук.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
• Напряжение сток-исток: -30 В
• Ток стока: -2 А
• Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
• Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
• Сопротивление в открытом состоянии: 136 мОм
• Комплектация: 40 шт.

Технические параметры и корпус

Компонент имеет напряжение сток-исток -30 В и ток стока -2 А, что определяет его рабочие пределы в схемах управления. Рассеиваемая мощность составляет 0,5 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 136 мОм. Корпус SuperSOT-3. Монтаж: SMD.

Особенности управления и технология

Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 9 нКл. Компонент изготовлен по технологии PowerTrench®.