Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN359AN, 30 В, 2,7 А, SuperSOT-3 (30 шт.)
1 950 ₴
- В наличии
- Код: TM073676
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN359AN — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SuperSOT-3. Комплект состоит из 30 штук.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 2,7 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 75 мОм
- Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
- Технология: PowerTrench®
- Комплектация: 30 шт.
Электрические параметры и мощность
Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 30 В, а постоянный ток стока — 2,7 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 75 мОм. Напряжение на затворе может изменяться в пределах ±20 В.
Корпус и монтаж
Транзистор изготовлен по технологии PowerTrench®. Монтаж выполняется методом SMD, что позволяет размещать компонент на поверхности печатной платы. Корпус SuperSOT-3 обеспечивает компактное расположение.
Управление и быстродействие
Транзистор обладает свойством Logic Level, что означает возможность управления низким напряжением на затворе. Заряд затвора составляет 7 нКл, что характеризует скорость переключения. Рассеиваемая мощность ограничена значением 0,5 Вт.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 75 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технология | PowerTrench® |
- Цена: 1 950 ₴