Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN357N, 30V, 1.9A, SuperSOT-3 (30 шт.)
2 040 ₴
- В наличии
- Код: TM073675
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN357N, 30V, 1.9A, SuperSOT-3 (30 шт.)В наличии
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN357N — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Пакет содержит 30 единиц в корпусе SuperSOT-3.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 1,9 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,14 Ом
- Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
- Комплектация: 30 шт.
Электрические параметры и рабочие характеристики
Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 30 В, а постоянный ток стока — 1,9 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,14 Ом, а рассеиваемая мощность — 0,5 Вт. Напряжение на затворе может достигать ±20 В.
Производственные характеристики и монтаж
Компонент изготовлен по технологии PowerTrench®. Корпус SuperSOT-3 и тип монтажа SMD. Заряд затвора составляет 5,9 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.9 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 140 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 040 ₴