Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN340P, SuperSOT-3, -20В, -2А (50 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN340P — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Пакет содержит 50 единиц в корпусе SuperSOT-3.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: -20 В
• Ток стока: -2 А (постоянный), -10 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
• Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
• Комплектация: 50 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает при напряжении сток-исток до -20 В и постоянном токе стока до -2 А. В импульсном режиме допустимый ток достигает -10 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,11 Ом, а заряд затвора — 10 нКл.

Корпус и технология

Компонент изготовлен по технологии PowerTrench® в корпусе SuperSOT-3. Монтаж выполняется методом SMD.