Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN338P, SuperSOT-3, -20В, -1,6А (комплект 40 шт.)

P-канальный MOSFET-транзистор ONSEMI FDN338P в корпусе SuperSOT-3 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 40 штук. Транзистор обладает свойством управления логическим уровнем (logic level).

• Тип: P-MOSFET, униполярный, обогащенный канал
• Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
• Максимальное напряжение сток-исток: -20 В
• Максимальный ток стока: -1,6 А
• Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,165 Ом
• Технология: PowerTrench®
• Комплектация: 40 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток -20 В и максимальный ток стока -1,6 А. Рассеиваемая мощность составляет 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,165 Ом.

Корпус и монтаж

Изделие изготовлено по технологии PowerTrench®. Корпус SuperSOT-3 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Транзистор является униполярным с обогащенным каналом. Напряжение затвор-исток составляет ±8 В, а заряд затвора — 6,2 нКл.