Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN335N, SuperSOT-3, 20 В, 1,7 А (комплект 40 шт.)

1 950 ₴

  • В наличии
  • Код: TM073672
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN335N, SuperSOT-3, 20 В, 1,7 А (комплект 40 шт.)
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN335N, SuperSOT-3, 20 В, 1,7 А (комплект 40 шт.)В наличии
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN335N в корпусе SuperSOT-3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD).## Комплектация

  • Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
  • Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
  • Напряжение сток-исток: 20 В
  • Ток стока: 1,7 А
  • Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии: 0,12 Ом
  • Технология: PowerTrench®, логический уровень управления
  • Комплектация: 40 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 20 В и выдерживает ток стока 1,7 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,12 Ом.

Особенности управления

Устройство использует технологию PowerTrench® и имеет логический уровень управления (logic level). Напряжение затвор-исток ограничено ±8 В, а общий заряд затвора составляет 5 нКл.

Монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе SuperSOT-3 для поверхностного монтажа (SMD).

Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Максимальная мощность рассеивания0.5 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток8 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток20 В
Максимально допустимый ток стока1.7 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)120 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте40 шт.
КорпусSuperSOT-3
ТехнологияPowerTrench®
Информация для заказа
  • Цена: 1 950 ₴