
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN327N, SuperSOT-3, 20В, 2А (комплект 40 шт.)
2 080 ₴
- В наличии
- Код: TM035596
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN327N — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Товар поставляется комплектом из 40 штук в корпусе SuperSOT-3.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 20 В
- Ток стока: 2 А
- Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
- Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
- Комплект: 40 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 20 В и ток стока 2 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,12 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность равна 0,5 Вт.
Особенности управления
Устройство использует технологию PowerTrench® и имеет логический уровень управления (logic level). Напряжение затвор-исток ограничено значением ±8 В, а заряд затвора составляет 6,3 нКл. Транзистор имеет логический уровень управления (logic level).
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе SuperSOT-3 для поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 080 ₴
