Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN304PZ — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Товар поставляется комплектом из 30 штук в корпусе SuperSOT-3.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -20 В
- Ток стока: -2,4 А
- Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
- Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
- Комплектация: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток -20 В и ток стока -2,4 А. Рассеиваемая мощность составляет 0,5 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 0,1 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±8 В.
Технология и характеристики
Компонент выполнен в корпусе SuperSOT-3 с технологией монтажа SMD. Заряд затвора составляет 20 нКл, а свойства элемента включают логический уровень управления. Использована технология PowerTrench®.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 070 ₴

