Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN302P, SuperSOT-3, -20В, -2,4А (комплект 40 шт.)

P-канальный MOSFET-транзистор ONSEMI FDN302P в корпусе SuperSOT-3 для поверхностного монтажа (SMD). Устройство рассчитано на напряжение сток-исток -20 В и ток стока -2,4 А.

• Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
• Максимальное напряжение сток-исток: -20 В
• Максимальный ток стока: -2,4 А
• Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 84 мОм
• Комплект: 40 шт.

Электрические характеристики

Транзистор имеет максимальную рассеиваемую мощность 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет 84 мОм, а заряд затвора — 14 нКл. Напряжение затвор-исток допускает значения ±12 В. Транзистор обладает свойством logic level (управление логическим уровнем).

Корпус и технология

Компонент выполнен в корпусе SuperSOT-3 с технологией PowerTrench®. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж). Товар поставляется как набор из 40 транзисторов.