Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN028N20, 20В, 6.1А, SOT23, 30 шт.
2 080 ₴
- В наличии
- Код: TM035595
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN028N20, 20В, 6.1А, SOT23, 30 шт.В наличии
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN028N20 — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 30 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 20В
- Ток стока: 6.1А (в импульсе до 52А)
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Сопротивление в открытом состоянии: 28мОм
- Рассеиваемая мощность: 1.5Вт
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры и мощность
Транзистор имеет напряжение сток-исток 20В и постоянный ток стока 6.1А. В импульсном режиме ток может достигать 52А. Напряжение на затворе составляет ±12В, а сопротивление в открытом состоянии — 28мОм.
Корпус и монтаж
Прибор выполнен в корпусе SOT23. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).
Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 1.5Вт. Заряд затвора равен 4.3нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6.1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 28 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 2 080 ₴