Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMS86252L, 150 В, 12 А, PQFN8 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMS86252L — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах с нагрузкой до 12 А. Модель в корпусе PQFN8 обеспечивает рассеивание мощности до 50 Вт и минимальное сопротивление в открытом состоянии 0,11 Ом.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 150 В
• Ток стока: 12 А
• Рассеиваемая мощность: 50 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 0,11 Ом
• Корпус: PQFN8, монтаж SMD
• Набор: 10 штук

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 150 В и максимальный ток стока 12 А. Это позволяет использовать компонент в силовых цепях для коммутации нагрузок.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 50 Вт, что делает транзистор пригодным для работы в режимах с повышенным тепловыделением. Низкое сопротивление в состоянии проводимости 0,11 Ом снижает потери энергии и нагрев компонента во время работы.

Удобный монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе PQFN8 для поверхностного монтажа (SMD), что упрощает автоматизированное производство плат. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В.

Комплектация

Внимание: товар поставляется набором из 10 транзисторов. Такая упаковка удобна для серийного производства или ремонта оборудования, где используется несколько одинаковых компонентов.