Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMS86101DC — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе DFN8 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 5 единиц, предназначенных для работы с напряжением до 100 В и током до 60 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Максимальный ток стока: 60 А
- Рассеиваемая мощность: 125 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 13 мОм
- Корпус: DFN8, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 5 шт.
Тип и канал транзистора
Прибор является транзистором типа N-MOSFET с униполярной структурой. Канал транзистора обогащенного типа, что определяет принципы его управления и открывания.
Напряжение и ток
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение между стоком и истоком 100 В. Допустимый ток стока составляет 60 А, а напряжение на затворе может изменяться в пределах ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 60 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 13 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | DFN8 |
Информация для заказа
- Цена: 2 370 ₴

