Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDMA530PZ, MicroFET, 20 шт.
2 510 ₴
- В наличии
- Код: TM035594
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDMA530PZ, MicroFET, 20 шт.В наличии
2 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDMA530PZ в корпусе MicroFET для монтажа SMD. Комплект состоит из 20 единиц.
- Тип: P-MOSFET, униполярный
- Корпус: MicroFET, монтаж SMD
- Напряжение сток-исток: -30 В
- Ток стока: -6,8 А
- Мощность рассеивания: 2,4 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 65 мОм
- Комплектация: 20 шт.
Технические параметры
Транзистор является униполярным P-канальным MOSFET с технологией PowerTrench®. Максимальное напряжение сток-исток составляет -30 В, а ток стока — -6,8 А. Мощность рассеивания равна 2,4 Вт.
Электрические характеристики
Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) составляет 65 мОм. Общий заряд затвора (Qg) — 11 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±25 В. Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.4 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 65 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | MicroFET |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 510 ₴