Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDH45N50F-F133, 500 В, 45 А, TO247-3 (3 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDH45N50F-F133 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы при напряжении до 500 В и токе 45 А. Комплект состоит из 3 штук в корпусе TO247-3 для монтажа на плату (THT).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
• Ток стока: 45 А (импульсный до 180 А)
• Мощность рассеивания: 625 Вт
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Комплект: 3 шт.

Электрические параметры

Транзистор выдерживает напряжение между стоком и истоком 500 В. Номинальный ток стока составляет 45 А, а импульсный ток может достигать 180 А. Мощность рассеивания равна 625 Вт.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO247-3. Монтаж осуществляется через отверстия в корпусе (THT). Напряжение на затворе ограничено ±30 В, а заряд затвора составляет 105 нКл.

Комплект поставки

В набор поставляется 3 транзистора. Символ производителя FDH45N50F-F133 соответствует спецификации ONSEMI.## Сопротивление в открытом состоянии и заряд затвораСопротивление в состоянии проводимости составляет 0,12 Ом, что определяет тепловые потери при протекании тока. Заряд затвора равен 105 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора. Эти параметры важны для расчета режимов работы схемы.