Транзистор ONSEMI FDG6304P, P-MOSFET x2, SOT363, 30 шт.
2 300 ₴
- В наличии
- Код: TM035592
Транзистор ONSEMI FDG6304P — это комплект из 30 элементов, содержащих два P-канальных MOSFET-транзистора в одном корпусе SOT363. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в электронных схемах, где требуется компактное решение с двумя ключами.
- Комплект из 30 транзисторов
- Два P-канальных MOSFET в одном корпусе
- Корпус SOT363 (SC70-6) для SMD-монтажа
- Напряжение сток-исток: -25 В
- Ток стока: -0,41 А
- Мощность рассеивания: 0,3 Вт
Двойной P-MOSFET в компактном корпусе
Компонент FDG6304P интегрирует два P-канальных MOSFET-транзистора в одном корпусе SC70-6 (SOT363). Корпус предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Электрические параметры и технология
Транзисторы изготовлены по технологии PowerTrench® с сопротивлением в состоянии проводимости 1,9 Ом. Максимальное напряжение сток-исток составляет -25 В, а максимальный ток стока — -0,41 А. Мощность рассеивания ограничена значением 0,3 Вт.
Комплектация
В комплекте поставляется 30 транзисторов FDG6304P. Напряжение затвор-исток составляет ±8 В, а заряд затвора — 1,5 нКл.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1900 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
| Технология | PowerTrench® |
- Цена: 2 300 ₴