Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD8876, 30 В, 73 А, DPAK, комплект 30 шт.
2 480 ₴
- В наличии
- Код: TM073658
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD8876, 30 В, 73 А, DPAK, комплект 30 шт.В наличии
2 480 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD8876 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD) и реализует технологию PowerTrench®.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
- Максимальный ток стока: 73 А
- Мощность рассеивания: 70 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока до 73 А. Мощность рассеивания составляет 70 Вт. Сопротивление в состоянии проводности равно 13 мОм, а заряд затвора — 47 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент изготовлен в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD). Технология PowerTrench®.
Комплектация
Товар поставляется в виде набора, содержащего 30 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 70 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 73 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 13 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 480 ₴