Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86367, 80В, 100А, DPAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86367 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 100 А при напряжении 80 В. Компонент выполнен в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD) и изготовлен по технологии PowerTrench®.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 80 В
• Ток стока: 100 А
• Мощность рассеивания: 227 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 8,4 мОм
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Технология: PowerTrench®
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток 80 В и выдерживает ток стока 100 А. Мощность рассеивания составляет 227 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 8,4 мОм.

Управление и технология

Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 88 нКл. Компонент изготовлен по технологии PowerTrench®.

Комплект поставки

Внимание: товар продается набором из 10 штук.