Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86252, 150 В, 27 А, DPAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86252 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 150 В и ток 27 А. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 150 В
• Максимальный ток стока: 27 А
• Рассеиваемая мощность: 89 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 103 мОм
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Комплектация: 10 шт.

Электрические характеристики

Прибор имеет максимальную рассеиваемую мощность 89 Вт и сопротивление в открытом состоянии 103 мОм. Допустимое напряжение между затвором и истоком составляет ±20 В. Эти характеристики определяют электрические возможности компонента в схемах.

Корпус и технология

Компонент изготовлен по технологии PowerTrench® в корпусе DPAK. Такое исполнение обеспечивает удобство для автоматизированного поверхностного монтажа (SMD) на печатных платах.