
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86250, 150В, 27А, DPAK — набор 10 шт.
1 850 ₴
- В наличии
- Код: TM073655
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86250 — это полупроводниковый прибор в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD). Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 150 В и ток стока 27 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 В
- Максимально допустимый ток стока: 27 А
- Максимальная мощность рассеивания: 132 Вт
- Корпус: DPAK (монтаж SMD)
- Технология: PowerTrench®
- Количество в комплекте: 10 шт.
Мощность и электрические параметры
Транзистор имеет максимальную мощность рассеивания 132 Вт. Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 150 В, а ток стока — 27 А. Эти характеристики определяют границы безопасной эксплуатации компонента в электрических цепях.
Технология и монтаж
Компонент изготовлен по технологии PowerTrench®, что влияет на его внутреннюю структуру и характеристики переключения. Корпус DPAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
Внимание: товар поставляется набором из 10 штук. Импульсный ток стока (Idm) составляет 164 А.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 132 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 150 В |
| Максимально допустимый ток стока | 27 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 45 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 1 850 ₴
