Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD5N60NZTM, 600В, 2,4А, DPAK (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD5N60NZTM — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Товар поставляется набором из 20 штук в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD).

• Набор из 20 транзисторов
• Корпус DPAK для SMD монтажа
• Максимальное напряжение 600 В
• Ток стока 2,4 А
• Рассеиваемая мощность 83 Вт
• Тип: N-MOSFET с каналом обогащения

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 2,4 А. Параметры позволяют использовать компонент в соответствующих электрических схемах.

Эффективный отвод тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 83 Вт. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 83 Вт.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе DPAK с типом монтажа SMD. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±25 В, а сопротивление в состоянии проводимости — 2 Ом. Тип монтажа: SMD.