Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD5353, 60В, 50А, DPAK (набор 10 шт.)
2 200 ₴
- В наличии
- Код: TM035591
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD5353, 60В, 50А, DPAK (набор 10 шт.)В наличии
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD5353 — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD). Товар поставляется набором из 10 штук.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, обогащаемый канал
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 50 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 20,3 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Рассеиваемая мощность: 69 Вт
- Набор: 10 штук
Напряжение и ток
Транзистор имеет напряжение сток-исток 60 В и максимальный ток стока 50 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 20,3 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а заряд затвора равен 65 нКл.
Мощность и технология
Прибор изготовлен по технологии PowerTrench®. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 69 Вт. Канал транзистора обогащаемый.
Монтаж и корпус
В комплекте 10 транзисторов ONSEMI FDD5353.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 69 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 50 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 20.3 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 200 ₴