Транзистор ONSEMI FDD4141 P-MOSFET, DPAK, 20 шт.

P-канальный MOSFET-транзистор ONSEMI FDD4141 в корпусе DPAK. Предназначен для поверхностного монтажа, имеет максимальную мощность рассеивания 69 Вт и сопротивление в открытом состоянии 18,7 мОм.

• Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
• Корпус: DPAK, монтаж поверхностный
• Максимальная мощность рассеивания: 69 Вт
• Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 18,7 мОм
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом p-типа. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 18,7 мОм, что определяет потери при прохождении тока.

Конструкция и монтаж

Компонент изготовлен по технологии PowerTrench® в корпусе DPAK. Тип монтажа — поверхностный (SMD), что позволяет размещать транзистор на поверхности печатной платы без сверления отверстий.

Технические характеристики и комплектация

В комплекте поставляется 20 шт. транзисторов. Заряд затвора составляет 50 нКл, что влияет на скорость переключения. Канал транзистора — обогащенный (enhancement mode), а полярность — униполярная.