Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDD4141, DPAK, -40В, -10,8А (набор 20 шт.)

P-канальный MOSFET-транзистор ONSEMI FDD4141 в корпусе DPAK является униполярным компонентом для электронных схем. Этот набор из 20 компонентов обеспечивает надежную работу при напряжении до -40 В и токе до -10,8 А.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
• Максимальное напряжение сток-исток: -40 В
• Максимальный ток стока: -10,8 А
• Мощность рассеивания: 69 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Количество в наборе: 20 шт.

Эффективное управление током

Транзистор работает как униполярный ключ с каналом обогащения, что позволяет точно управлять нагрузкой в схемах питания. Максимальный ток стока составляет -10,8 А, что подходит для мощных потребителей. Низкое сопротивление в открытом состоянии (18,7 мОм) снижает нагрев компонента во время работы.

Надежность и тепловой режим

Компонент рассчитан на рассеивание мощности до 69 Вт, что гарантирует стабильную работу даже в сложных условиях. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Заряд затвора 50 нКл способствует быстрому переключению состояний.

Удобство монтажа и комплектация

Транзисторы изготовлены по технологии PowerTrench®, что повышает эффективность и надежность. Корпус DPAK и SMD-монтаж позволяют компактно разместить компоненты на печатной плате. Набор из 20 штук удобен для серийного производства или ремонта оборудования.

Этот комплект транзисторов ONSEMI FDD4141 является оптимальным решением для инженеров и радиолюбителей, которые нуждаются в качественных компонентах для модернизации или создания электронных схем с требованиями к коммутации тока.## Электрические параметры каналаТранзистор имеет канал обогащения, что определяет его поведение в схемах управления. Максимальное напряжение сток-исток составляет -40 В, что ограничивает рабочий диапазон напряжений в цепи. Ток стока может достигать -10,8 А, что позволяет подключать мощные нагрузки.## Тепловые характеристики и сопротивлениеКомпонент способен рассеивать мощность до 69 Вт, что важно для стабильной работы под нагрузкой. Сопротивление в состоянии проводности равно 18,7 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев. Заряд затвора составляет 50 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора.