Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDD306P, DPAK, -12В, -6,7А (комплект 20 шт.)
2 630 ₴
- В наличии
- Код: TM018573
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDD306P — это униполярный компонент в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 20 штук, что удобно для серийного производства или ремонта электронных устройств.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -12 В
- Ток стока: -6,7 А
- Рассеиваемая мощность: 52 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические характеристики
Транзистор имеет напряжение сток-исток -12 В и ток стока -6,7 А. Рассеиваемая мощность составляет 52 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 90 мОм. Напряжение затвор-исток равно ±8 В, а заряд затвора — 21 нКл.
Корпус и технология PowerTrench®
Компонент выполнен в корпусе DPAK, что обеспечивает компактность и надежность контактов. Применение технологии PowerTrench® от ONSEMI оптимизирует параметры переключения. Монтаж выполняется методом SMD, что подходит для автоматизированных линий сборки плат.
Комплектация
В комплекте поставляется 20 транзисторов. Это позволяет одновременно обеспечить несколько узлов схемы или создать запас на будущее.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 52 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 90 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | PowerTrench® |
- Цена: 2 630 ₴