Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD16AN08A0, 75 В, 50 А, DPAK, набор 10 шт.
2 260 ₴
- В наличии
- Код: TM073652
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD16AN08A0, 75 В, 50 А, DPAK, набор 10 шт.В наличии
2 260 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов ONSEMI FDD16AN08A0 типа N-MOSFET в корпусе DPAK. Характеризуется напряжением до 75 В и током до 50 А.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 75 В
- Ток стока: 50 А
- Рассеиваемая мощность: 135 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 37 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Количество в наборе: 10 шт.
Технические характеристики
Транзистор имеет напряжение сток-исток 75 В и максимальный ток стока 50 А. Рассеиваемая мощность составляет 135 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 37 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе DPAK с технологией монтажа SMD. Монтаж выполняется методом SMD.
Комплектация
В комплекте поставляется 10 транзисторов. Используется технология PowerTrench®. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Заряд затвора равен 47 нКл. Канал обогащенного типа.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 135 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 75 В |
| Максимально допустимый ток стока | 50 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 37 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 260 ₴