Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD13AN06A0, 60В, 50А, DPAK (набор 10 шт.)
2 190 ₴
- В наличии
- Код: TM035590
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD13AN06A0, 60В, 50А, DPAK (набор 10 шт.)В наличии
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD13AN06A0 — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 50 А при напряжении 60 В. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе DPAK с технологией PowerTrench®.
- Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 50 А
- Мощность рассеивания: 115 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток стока 50 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 34 мОм. Общая мощность рассеивания равна 115 Вт, а заряд затвора — 29 нКл.
Корпус и монтаж
Прибор выполнен в поверхностном корпусе DPAK, что позволяет использовать технологию монтажа SMD.
Комплектация
В упаковке находится 10 транзисторов ONSEMI FDD13AN06A0.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 115 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 50 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 34 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 190 ₴