Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD10AN06A0, 60В, 50А, DPAK (набор 20 шт.)
2 410 ₴
- В наличии
- Код: TM073651
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD10AN06A0, 60В, 50А, DPAK (набор 20 шт.)В наличии
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD10AN06A0 — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 20 единиц.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащенного типа
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 50 А
- Рассеиваемая мощность: 135 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 27 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток 60 В и максимальный ток стока 50 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 27 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а заряд затвора — 4,6 нКл.
Тепловые характеристики и технология
Прибор изготовлен по технологии PowerTrench®. Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 135 Вт. Канал транзистора — обогащенного типа (enhancement mode).
Комплектация
В наборе поставляется 20 транзисторов ONSEMI FDD10AN06A0.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 135 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 50 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 27 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 410 ₴